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F-JTDG1110晶体的电光效应

F-JTDG1110晶体的电光效应
  • 观察会聚偏振光经过LiNbO3晶体后形成的干涉图形，比较不同电压条件下的差异，理解单轴晶体与双轴晶体的区别。
  • 观察在不同电压条件下的输出光的偏振态，理解泡克耳斯效应的作用机理。     
  • 测量半波电压，确定Δn与E的线性关系，绘出光的调制曲线。
  • 用正弦电信号对晶体进行调制，实现电信号的光传输，理解工作点对调制、传输过程的影响。
  • 外加音频信号，实验音频信号的光传输以重现，了解光通讯中信号外调制的原理和方法。
  • 光学实验导轨：800mm。
  • 实验主机最大驱动电压：Vmax≥1600V
  • 半导体激光器：650nm, 4mW。
  • LN晶体附件：三维可调，通光面积：5*5mm2。
  • 二维可调光电二极管探头：调整范围:±2.5mm.
  • 二维可调扩束镜：25倍，调制范围：±2.5mm.
  • 激光功率指示计：三位半数字表头，量程：200μW, 2mW, 20mW, 200mW，可调档。最小分辨率0.1u W。
  • 采用半导体激光器作为光源（650nm4mW）。
  • 晶体的通光面积为5×5mm2
  • 最大驱动电压Vmax≥1600V使现象更加清晰、完整。
  • 可观察在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为双轴晶体的过程。
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